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圖片信息
UF3SC065030D8S圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:UF3SC065030D8S
  • 原始制造廠商:UnitedSiC
  • 技術標準參數(shù):SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載UF3SC065030D8S的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:UF3SC065030D8S
  • 制造商:UnitedSiC
  • 描述:SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(共源共柵 SiCJFET)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):18A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):12V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):42毫歐 @ 20A,12V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):43nC @ 12V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):179W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:4-DFN(8x8)
  • UF3SC065030D8S均從UnitedSiC代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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