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圖片信息
TLE2161IDR圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:TLE2161IDR
  • 原始制造廠商:TI,德州儀器(Texas Instruments)
  • 技術標準參數(shù):IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
  • 產(chǎn)品應用分類:線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器
  • 點擊此處下載TLE2161IDR的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:TLE2161IDR
  • 制造商:Texas Instruments
  • 描述:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC
  • 產(chǎn)品系列:線性器件 - 放大器 - 儀器、運算放大器、緩沖放大器
  • 包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)
  • 系列:Excalibur?
  • 零件狀態(tài):有源
  • 放大器類型:J-FET
  • 電路數(shù):1
  • 輸出類型:-
  • 壓擺率:10V/μs
  • 增益帶寬積:6.4MHz
  • -3db帶寬:-
  • 電流-輸入偏置:4pA
  • 電壓-輸入補償:600μV
  • 電流-供電:290μA
  • 電流-輸出/通道:80mA
  • 電壓-供電,單/雙?(±):±3.5V ~ 18V
  • 工作溫度:-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • TLE2161IDR均從TI代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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