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圖片信息
PD20010STR-E圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:PD20010STR-E
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù):TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
  • 點擊此處下載PD20010STR-E的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:PD20010STR-E
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 晶體管類型:LDMOS
  • 頻率:2GHz
  • 增益:11dB
  • 電壓-測試:13.6V
  • 額定電流(安培):5A
  • 噪聲系數(shù):-
  • 電流-測試:150mA
  • 功率-輸出:10W
  • 電壓-額定:40V
  • 封裝:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條直引線)
  • PD20010STR-E均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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