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圖片信息
RP1E090XNTCR圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):RP1E090XNTCR
  • 原始制造廠商:ROHM,羅姆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載RP1E090XNTCR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):RP1E090XNTCR
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 9A MPT6
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):9A(Ta)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4V,10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):17 毫歐 @ 9A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):6.8nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):440pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:MPT6
  • RP1E090XNTCR均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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