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圖片信息
APTGT50A60T1G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APTGT50A60T1G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
  • 產品應用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 點擊此處下載APTGT50A60T1G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:APTGT50A60T1G
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態(tài):停產
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 配置:半橋
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):80A
  • 功率-最大值:176W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
  • 電流-集電極截止(最大值):250μA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:是
  • 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP1
  • APTGT50A60T1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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