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            圖片信息
            IXTX110N20L2圖片
            基本技術(shù)信息:
          2. 電子器件型號(hào):IXTX110N20L2
          3. 原始制造廠商:IXYS
          4. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
          5. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
          6. 點(diǎn)擊此處下載IXTX110N20L2的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
          7. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
          8. 技術(shù)參數(shù)詳解:
          9. 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXTX110N20L2
          10. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購(gòu))
          11. 描述:MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
          12. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
          13. 產(chǎn)品系列:Linear L2?
          14. 零件狀態(tài):有源
          15. FET類型:N 通道
          16. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
          17. 漏源電壓(Vdss):200V
          18. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):110A(Tc)
          19. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
          20. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):24 毫歐 @ 55A,10V
          21. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4.5V @ 3mA
          22. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):500nC @ 10V
          23. Vgs(最大值):±20V
          24. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):23000pF @ 25V
          25. FET功能:-
          26. 功率耗散(最大值):960W(Tc)
          27. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
          28. 安裝類型:通孔
          29. 器件封裝:PLUS247?-3
          30. IXTX110N20L2均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
          31. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
            IXYS產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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            深圳市南皇電子有限公司 - IXTX110N20L2 - IXYS公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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