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圖片信息
IS61DDB21M36C-300M3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IS61DDB21M36C-300M3
  • 原始制造廠商:ISSI
  • 技術標準參數(shù):IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
  • 產(chǎn)品應用分類:存儲器
  • 點擊此處下載IS61DDB21M36C-300M3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IS61DDB21M36C-300M3
  • 制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
  • 產(chǎn)品系列:存儲器
  • 包裝:托盤
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 存儲器類型:易失
  • 存儲器格式:SRAM
  • 技術:SRAM - 同步,DDR II
  • 存儲容量:36Mb(1M x 36)
  • 存儲器接口:并聯(lián)
  • 時鐘頻率:300MHz
  • 寫周期時間-字,頁:-
  • 訪問時間:8.4ns
  • 電壓-供電:1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝:165-LBGA
  • IS61DDB21M36C-300M3均從ISSI代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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