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圖片信息
RFD12N06RLE圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:RFD12N06RLE
  • 原始制造廠商:Fairchild,仙童,飛兆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點擊此處下載RFD12N06RLE的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:RFD12N06RLE
  • 制造廠家名稱:Fairchild 仙童半導(dǎo)體(已被ON安森美收購)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  • 系列:UltraFET?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):63 毫歐 @ 18A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):485pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:49W
  • 安裝類型:通孔
  • 產(chǎn)品封裝:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak
  • RFD12N06RLE均從Fairchild代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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