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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FDD86367_F085

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET - 單

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號: FDD86367_F085

制造廠家名稱：Fairchild 仙童半導(dǎo)體（已被ON安森美收購）

功能總體簡述: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

系列: PowerTrench

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 80V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 100A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 4.2 毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 88nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 4840pF @ 40V

功率 - 最大值: 227W

安裝類型: 墊板安裝

產(chǎn)品封裝: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝: D-PAK（TO-252AA）

FDD86367_F085均從Fairchild代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Fairchild

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