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圖片信息
AOT10B60D圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):AOT10B60D
  • 原始制造廠商:AOS,美國(guó)萬(wàn)代半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 600V 20A 163W TO220
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載AOT10B60D的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):AOT10B60D
  • 制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • 描述:IGBT 600V 20A 163W TO220
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:Alpha IGBT?
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):40A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,10A
  • 功率-最大值:163W
  • 開(kāi)關(guān)能量:260μJ(開(kāi)),70μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:17.4nC
  • 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:10ns/72ns
  • 測(cè)試條件:400V,10A,30 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):105ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-220-3
  • AOT10B60D均從AOS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    AOS產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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